四條路線基本清晰,ASML的EUV光刻機正在被“圍剿”

在光刻機領域內,ASML是當之無愧的巨頭,因為ASML研發製造的DUV光刻機和EUV光刻機幾乎占領了中高端市場。

尤其是EUV光刻機,其更是生產製造7nm以下製程晶元的必要設備,至今仍供不應求。

但ASML卻不能自由出貨,尤其是EUV光刻機。據悉,EUV光刻機被研發製造出來後,其就不能自由出貨,甚至連外企中國分廠出貨都不行。

也正是因為EUV光刻機不能自由出貨,再加上產能不足、生產成本高等因素,越來越多的廠商開始繞開EUV光刻機生產製造晶元,或者說是拋棄ASML的EUV光刻機。

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四條路線基本清晰,ASMLEUV光刻機正在被“圍剿”

就目前而言,已經有四條基本清晰的路線,目的就是繞過ASML的EUV光刻機,也可以說是“拋棄”EUV光刻機,讓其不再是生產製造7nm等晶元的必要設備。

第一條,光電晶元路線。

任正非曾明確表示,要想在硅晶元技術上完全繞開美技術並非易事,而光電晶元則完全可以繞開美技術。

關鍵是,光電晶元還具備更大、更快的傳輸特點,更適合萬物聯網。

華為已經計劃投資10億英鎊在劍橋附近建設光電晶元研發中心等。除了華為之外,還有很多國家和地區的企業都在發展光電晶元。

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據悉,荷蘭已經計劃投資11億歐元研發光電晶元等相關技術,目的就是想在下一代晶元領域內提前佈局,而德國相關機構也已經開始就光電晶元相關課題進行研究了。

第二條,佳能、鎧俠等聯合推出NIL工藝路線。

要想生產7nm晶元以下製程的晶元,EUV光刻機可以說必需品,雖然DUV光刻機也可以,但成本高、工藝復雜,台積電都不用了。

由於EUV光刻機產能不足且不能自由出貨,很多廠商都想繞過EUV光刻機生產製造7nm等晶元。

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於是,佳能、鎧俠等廠商聯合研發了NIL工藝,目前該工藝已經用於生產15nm的儲存晶元。

根據佳能等聯合發布的消息可知,其計劃將NIL工藝也用於生產非儲存晶元,2025年就能夠量產5nm製程的晶元,並計劃在全球範圍內推廣該技術。

相比EUV工藝而言,NIL工藝不需要EUV光刻機,不僅能夠降低90%的設備費用,還能夠節約大量的能源費用。

可以說,NIL工藝的出現,讓生產製造7nm、5nm等晶元不用再依賴EUV光刻機。

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第三條,俄計劃研發先進的X射線光刻機。

英特爾、高通、ARM以及ASML等紛紛宣佈暫停向俄當地市場出貨,俄不僅計劃投資超9000億發展ICT產業,還計劃投資超3萬億發展晶元半導體技術。

其中,計劃今年量產90nm製程的晶元,2030年量產28nm等製程的晶元,關鍵是,俄方面還計劃研發先進的X射線光刻機。

相比現有的EUV光刻機,X射線光刻機採用了更為先進的X射線作為光源,其下限更大,可以帶來更高的光刻精度。

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第四條,堆疊技術晶元,實際上是先進的封裝技術。

堆疊技術晶元並不陌生,因為英特爾、英偉達等早就推出了類似的晶元,但蘋果的M1 Ultra晶元將堆疊晶元技術推向了公眾面前。

華為也做出了明確的表態,未來可能會採用多核架構的晶元,用堆疊、面積換性能,並發布了多項與堆疊晶元有關的專利,主要涉及製造以及成本控制等。

據悉,堆疊技術的晶元實際上就是一種採用先進封裝技術的晶元,將多顆晶元封裝在一起,從而實現強大的性能,但晶元製程不變。

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可以說,先進的封裝技術也能大大提升晶元的性能,台積電的封裝技術更是將單顆7nm晶元的性能提升40%,關鍵是不改變晶元製程。

總結一下,這四條路線都夠在一定程度上避開或完全繞開EUV光刻機,所以才說ASML的EUV光刻機正在被“圍剿”。對此,你們怎麽看,歡迎留言、點贊、分享。