高性能晶元要來了?華為公佈重磅堆疊晶元新專利,亮點很多

華為是少數能夠自研多種晶元的廠商,像服務器晶元、手機晶元、通訊晶元以及路由器等,多數晶元都自研自用。

但華為自研的各種晶元幾乎都是交給台積電代工生產,由於晶元等規則被多次被修改,導致台積電也不能自由出貨了。

餘承東都表示,麒麟9000等晶元暫時無法生產製造。隨後,華為就宣佈全面進入晶元半導體領域內,而華為旗下的哈勃更是不斷投資國內主要的晶元企業。

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高性能晶元要來了?華為公佈第重磅堆疊晶元專利,亮點很多

蘋果發布M1 Ultra晶元後,華為就對外表態,未來可能會採用多核架構的晶元,用堆疊、面積換性能,用不那麽先進的工藝讓華為的產品也有競爭力。

如今,華為又公佈了重磅堆疊晶元新專利,主要用於解決如何將多個副晶元堆疊單元可靠的鍵合在同一主晶元堆疊單元上的問題。

根據華為公佈的專利可知,該堆疊晶元專利技術有很多亮點,像主晶元堆疊單元,具有位於第一錶面上的絕緣且間隔設置的多個主管腳。

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另外,多個副晶元堆疊單元,而副晶元堆疊單元具有絕緣且間隔設置的多個微凸點。

都知道,蘋果推出的M1 Ultra晶元是將兩顆M1 Max拼接起來,而華為此次公佈的重磅新專利,能將兩個以上的晶元堆疊起來。

畢竟,該專利顯示多個鍵合組件中的每個包括至少一個鍵合部,任意兩個鍵合部絕緣設置,且任意兩個鍵合部的橫截面積相同,而多個鍵合組件分別與多個主管腳鍵合。

數據顯示,蘋果將兩顆M1 Max拼接起來就是實現了多核性能翻倍提升,成為當下計算能力最強的晶元之一。

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華為若將兩顆以上晶元拼接起來,豈不是可以實現更大的性能提升。

更何況,華為之前已經先後公佈了多個堆疊晶元的技術專利,其中一個就是要解決封裝以及成本高等問題。

最主要的是,這是華為就堆疊晶元表態公佈的第二個重磅專利,而上一個專利主要是解決因採用硅通孔技術而導致的成本高的問題。

這意味着華為加速推進堆疊晶元的發展,或許不久的將來就會推出華為自研的高性能堆疊晶元,從而進一步提升華為手機等產品的產能。

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相應的晶元製造技術已經為華為研發堆疊晶元提供了條件

據悉,晶元等規則修改後,華為就加速在晶元等領域內發展,已經聯合國內廠商實現了麒麟9006C等5nm晶元在國內封裝,這說明國內廠商掌握了先進的晶元封裝技術。

另外,國內已經能夠量產14nm、N+1等製程的晶元,其中,N+1工藝晶元的邏輯面積類似台積電7nm晶元,主打低功耗,而N+2工藝的晶元主打高性能。

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至於14nm製程的晶元,良品率敢於同國際大廠相比較,關鍵是,梁孟松等也明確表示28nm/14nm等製程晶元的風險進一步降低。

也就是說,採用兩顆或以上的14nm、N+1等工藝的晶元進行堆疊,再通過自主研發的專利降低功耗以及成本,這樣的堆疊晶元自然也會具備很強大的性能。

更何況,手機晶元早就進行了性能過剩,從7nm到5nm,再到3nm製程的晶元,提升主要是功耗、AI以及GPU等,並非晶元的計算能力。

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由於製程縮小帶來的性能提升不明顯,蘋果、AMD等廠商都採用自研的封裝技術來提升性能,以實現降低成本的目的。

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